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TSUS5200
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TSUS5200 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:发光二极管
封装:T-1
描述:红外发光二极管， 950纳米，砷化镓 Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs
PDF文件:TSUS5200 数据手册 (5 页)封装尺寸在4 页
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焊盘图
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TSUS5200 数据手册 (5 页)
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TSUS5200 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
封装T-1
正向电压1.7 V
波长950 nm
视角30°
峰值波长950 nm
功耗210 W
上升时间800 ns
测试电流100 mA
正向电流150 mA
正向电压(Max)1.7 V
正向电流(Max)150 mA
工作温度(Max)100 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)210 mW
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TSUS5200 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Bulk
高度8.7 mm
工作温度-40℃ ~ 85℃ (TA)
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TSUS5200 数据手册

TSUS5200 数据手册
VISHAY（威世）
5 页 / 0.09 MByte
TSUS5200 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.11 MByte
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