| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | SOD-80 |
| 击穿电压 | 3.00 V |
| 针脚数 | 2 Position |
| 正向电压 | 1.5 V |
| 功耗 | 500 mW |
| 测试电流 | 5 mA |
| 稳压值 | 3 V |
| 正向电压(Max) | 1.5V @200mA |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.7 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
| 最小包装数量 | 2500 |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. | 2.8v \---|--- 平均Typ. | 3.0v 最大max. | 3.2v 误差Tolerance | 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance | 90Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 4uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Very sharp reverse characteristic .Low reverse current level .Very high stability . Low noise . TZMC - VZ-tolerance ± 5 % . TZMB - VZ-tolerance ± 2 % . AEC-Q101 qualified . Voltage stabilization . Small Signal Zener Diodes 描述与应用 | 非常尖锐的反向特性 .低反向电流水平 .非常高的稳定性 .低噪音 .TZMC - VZ-公差±5％ .TZMB - VZ-公差±2％ .通过AEC-Q101资格 .电压稳定 .小信号二极管
VISHAY（威世）
7 页 / 0.11 MByte
VISHAY（威世）
7 页 / 0.09 MByte
VISHAY（威世）
6 页 / 0.07 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
VISHAY（威世）
齐纳二极管 500mW，TZM 系列，Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW，击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
TZM 系列 500 mW 3.0 V 5 % 容差 小信号 齐纳二极管 - SOD-80
Vishay Semiconductor（威世）
稳压二极管 3.0 Volt 0.5 Watt 5%
VISHAY（威世）
•非常尖锐的反向特性•低反向电流水平•非常高的稳定性•低噪音•TZMC - VZ-公差±5％•TZMB - VZ-公差±2％•通过AEC-Q101资格•电压稳定•小信号二极管
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
