| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 8.50V (min) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 0.001 A |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 650 mW |
| 调节输出数 | 2 Output |
| 上升时间 | 28 ns |
| 开关频率 | 1 MHz |
| 占空比 | 50 % |
| 输出电流(Max) | 1 A |
| 最大占空比 | 0.5 |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 105 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 650 mW |
| 电源电压 | 8.5V ~ 14V |
| 电源电压(Max) | 14 V |
| 电源电压(Min) | 8.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.91 mm |
| 高度 | 1.58 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 105℃ |
MOSFET 和 IGBT 驱动器，高达 2.5A，Texas Instruments
●Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。
TI（德州仪器）
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MOSFET 和 IGBT 驱动器，高达 2.5A，Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
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带有死区时间控制初级侧PUSH - PULL振荡器 PRIMARY-SIDE PUSH-PULL OSCILLATOR WITH DEAD-TIME CONTROL
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带有死区时间控制初级侧PUSH - PULL振荡器 PRIMARY-SIDE PUSH-PULL OSCILLATOR WITH DEAD-TIME CONTROL
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带有死区时间控制初级侧PUSH - PULL振荡器 PRIMARY-SIDE PUSH-PULL OSCILLATOR WITH DEAD-TIME CONTROL
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