| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | DIP-16 |
| 输出接口数 | 7 Output |
| 输出电压 | ≤50.0 V |
| 通道数 | 7 Channel |
| 针脚数 | 16 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 2.25 W |
| 输入电容 | 15.0 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @350mA, 2V |
| 输出电流(Max) | 500 mA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 20 mm |
| 宽度 | 7.1 mm |
| 高度 | 5.1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
复合晶体管阵列，STMicroelectronics
●达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC（友顺）
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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