| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | PDIP-16 |
| 输出接口数 | 7 Output |
| 输出电压 | 50 V |
| 输出电流 | 0.6 A |
| 通道数 | 7 Channel |
| 针脚数 | 16 Position |
| 正向电压 | 1.70 V |
| 输入电流 | 930 µA |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 25 W |
| 输入电容 | 15.0 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 驱动器/包 | 7 |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 输入电压(Max) | 5 V |
| 输出电压(Max) | 50 V |
| 输出电流(Max) | 500 mA |
| 直流电流增益(hFE) | 600 |
| 工作温度(Max) | 70 ℃ |
| 工作温度(Min) | -20 ℃ |
| 输入电压 | 30 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 19.3 mm |
| 宽度 | 6.35 mm |
| 高度 | 4.57 mm |
| 工作温度 | -20℃ ~ 70℃ |
德州仪器的ULN2003AN系列为通孔安装高电压高电流的达林顿晶体管阵列, PDIP封装. 每个包含七个NPN达林顿对, 具有高电压共射和集电极开路输出, 带有普通阴极钳位二极管用于转换电感性负载. 此单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA, 同时达林顿对可并行用于更高电流性能. ULN2003A设备包含一个2.7Kohm 系列基极电阻用于每一个达林顿对, 以直接运行TTL或5V CMOS设备. 典型应用包括继电器驱动器, 锤驱动器, 灯驱动器, 显示器驱动器 (LED和气体放电), 线路驱动器和逻辑缓冲器.
● 高电压输出: 50V
● 兼容多种类型逻辑输入
● 350mA集电极电流时, 通导输入电压: 3V
● 350mA集电极电流时, 集电极到发射极饱和电压:1.2V
● 工作温度范围: -20°C至70°C
● 集电极电流(Ic): 500mA (单路输出)
TI（德州仪器）
35 页 / 1.29 MByte
TI（德州仪器）
28 页 / 1.71 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC（友顺）
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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