| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 封装 | DIP-16 |
| 输出接口数 | 7 Output |
| 通道数 | 7 Channel |
| 针脚数 | 16 Position |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 驱动器/包 | 7 |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 输入电压(Max) | 5 V |
| 输出电压(Max) | 50 V |
| 输出电流(Max) | 500 mA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度(Max) | 70 ℃ |
| 工作温度(Min) | -20 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -20℃ ~ 70℃ (TA) |
高电压, 高电流达林顿阵列, 每个包含7个开集达林顿对, 共发射极。适用于继电器驱动器, 步进和DC有刷电机驱动器, 灯驱动器, 显示器驱动器 (LED或GDT), 线路驱动器和逻辑缓冲器。
● 带有抑制二极管, 用于感性负载
● 输出可以并联, 以输出更高的电流
● TTL/CMOS/PMOS/DTL兼容输入
● 输入引脚的位置在输出引脚的对面, 以简化布局
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
13 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC（友顺）
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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