| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 封装 | DIP-16 |
| 极性 | N-Channel, NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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TI（德州仪器）
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2004ADR 晶体管阵列
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2004D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2004A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2004AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIP
TI（德州仪器）
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2004AID 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI（德州仪器）
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI（德州仪器）
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI（德州仪器）
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
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