类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 18 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | DIP-18 |
输出电压 | 50 V |
输出电流 | 500 mA |
通道数 | 8 Channel |
针脚数 | 18 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 2.25 W |
输入电容 | 15.0 pF |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
最小电流放大倍数 | 1000 @350mA, 2V |
额定功率(Max) | 2.25 W |
直流电流增益(hFE) | 1000 |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -20 ℃ |
耗散功率(Max) | 2250 mW |
电源电压 | 5 V |
输入电压 | 30 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 23.24 mm |
宽度 | 7.1 mm |
高度 | 3.93 mm |
工作温度 | -20℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST微电子公司的ULN2803A是一个通孔安装, 八达林顿阵列的晶体管, DIP封装. 阵列包含8个达林顿晶体管, 带有共发射极和积分抑制二极管, 用于电感性负载. 每个达林顿具有一个峰值负载电流, 额定值为600mA (500mA持续电流), OFF关闭状态下可承受至少50V电压. ULN2803A有一个2.7Kohm输入晶体管, 用于5V TTL和CMOS, 以简化逻辑系列接口.
● 固定的输入与输出相反, 以简化电路板布局.
● 可并联输出, 以获取更高电流能力.
● 积分抑制二极管
● 输出电压: 50V
● 直流电流增益(hFE): 1000
● 运行环境温度范围: -20°C至85°C
● 功耗: 2.25W
ST Microelectronics(意法半导体)
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ON Semiconductor(安森美)
八路外设驱动阵列 OCTAL PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2803ADWR.. 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS ULN2803A 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI(德州仪器)
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
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达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS ULN2803AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
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