| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 18 Pin |
| 封装 | DIP-18 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.76 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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ON Semiconductor（安森美）
八路外设驱动阵列 OCTAL PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2803ADWR.. 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2803A 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI（德州仪器）
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
TI（德州仪器）
达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2803AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
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