| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | DIP-16 |
| 输出电压 | 50 V |
| 输出电流 | 500 mA |
| 极性 | NPN |
| 输入电容 | 15.0 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @350mA, 2V |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度(Max) | 105 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 输入电压 | 30 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 20 mm |
| 宽度 | 7.1 mm |
| 高度 | 4.59 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
复合晶体管阵列，STMicroelectronics
●达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
七达林顿阵列 Seven Darlington array
TI（德州仪器）
达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003ADR 达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AQDRQ1 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULQ2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AD 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003ATDRQ1 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ST Microelectronics（意法半导体）
STMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。### 达林顿晶体管驱动器
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AN 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
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