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UM6J1NTN
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UM6J1NTN 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:双 P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
PDF文件:UM6J1NTN 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
UM6J1NTN 数据手册 (4 页)
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UM6J1NTN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻900 mΩ
极性Dual P-Channel
功耗150 mW
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)0.2A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)30pF @10V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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UM6J1NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.1 mm
宽度1.35 mm
高度0.9 mm
工作温度150℃ (TJ)
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UM6J1NTN 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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