| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SC-70-5 |
| 击穿电压 | 50.0 V |
| 极性 | Dual N-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 150 mW |
| 集电极击穿电压 | 50.0 V |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50.0 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 20 |
| 最大电流放大倍数 | 20 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150 mW |
| 额定电压 | 50 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 0.47 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 35/140 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors • NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network • Pb−Free Packages are Available • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel 描述与应用| 特点 •双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 •NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •无铅包可用 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •可在8毫米，7 inch/3000单位编带和卷轴
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双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors
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UMC5NT1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 35/140 150mW/0.15W SOT-353/SC-88A/SC70-5 标记U5E 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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