类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电流 | 150 mA |
封装 | SC-70-6 |
额定功率 | 0.15 W |
针脚数 | 6 Position |
极性 | NPN, PNP |
功耗 | 150 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 0.15A |
最小电流放大倍数 | 120 @1mA, 6V |
额定功率(Max) | 150 mW |
直流电流增益(hFE) | 120 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 150 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 2 mm |
宽度 | 1.25 mm |
高度 | 0.9 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
双重双极性晶体管,ROHM
●每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMZ1 NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-363/UMT6/SC-88 标记Z1 用于开关/数字电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM UMZ1NTR 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
电压调节(阳极常用的双型) Voltage regulation (Anode common twin type)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
齐纳二极管 200mW,UMZ 系列,ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM UMZ16NFHT106 二极管阵列 齐纳, 16 V, 200 mW, 150 °C, SOT-323 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
稳压二极管 DIODE DUAL CMMN ANOD 17.955V 200MA
ON Semiconductor(安森美)
互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
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