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US6J11TR
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US6J11TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TUMT-6
PDF文件:US6J11TR 数据手册 (12 页)
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US6J11TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻190 mΩ
极性Dual P-Channel
功耗1 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)12 V
漏源击穿电压12 V
连续漏极电流(Ids)1.3A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)290pF @6V(Vds)
额定功率(Max)320 mW
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)320 mW
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US6J11TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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US6J11TR 数据手册

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P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TUMT-6
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