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US6M11TR
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US6M11TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSSOP-6
描述:US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6
PDF文件:US6M11TR 数据手册 (8 页)
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US6M11TR 数据手册 (8 页)
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US6M11TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.13 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗1 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)20V, 12V
连续漏极电流(Ids)1.5A/1.3A
输入电容值(Ciss)110pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1000 mW
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US6M11TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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US6M11TR 数据手册

US6M11TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6
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