| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电流 | 1.40 A |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 170 mΩ |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30V, 20V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.40 A, 1.00 A |
| 上升时间 | 6.00 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 70pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 0.77 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V，20V 1.4A，1A 1W 表面贴装型 TUMT6
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6
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