Datasheet 搜索 > Vishay Semiconductor(威世) > V30100S Datasheet 文档
V30100S
来自 AiPCBA
V30100S 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

V30100S 技术参数、封装参数

V30100S 外形尺寸、物理参数、其它

V30100S 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.12 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.24 MByte

V30100 数据手册

VISHAY(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  V30100S-E3/4W  二极管, 肖特基, 30A, 100V, TO-220AB-3
VISHAY(威世)
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor(威世)
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-V40PW10C-M3/I
Vishay Semiconductor(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号