Datasheet 搜索 > MOS管 > Microchip（微芯） > VN0300L-G Datasheet 文档
VN0300L-G
来自 AiPCBA

VN0300L-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:Microchip（微芯）
分类:MOS管
封装:TO-92-3
描述:晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 640 mA, 30 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:VN0300L-G 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VN0300L-G 数据手册 (3 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VN0300L-G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-92-3
额定功率1 W
针脚数3 Position
漏源极电阻1.2 Ω
极性N-CH
功耗1 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)0.64A
输入电容值(Ciss)190 pF
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1W (Tc)
查看数据手册 >

VN0300L-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bag
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

VN0300L-G 数据手册

VN0300L-G 数据手册
Microchip（微芯）
3 页 / 0.53 MByte
VN0300L-G 其他数据使用手册
Microchip（微芯）
6 页 / 0.13 MByte
VN0300L-G 产品修订记录
Microchip（微芯）
3 页 / 0.5 MByte

VN0300 数据手册

VN0300 数据手册
Supertex（超科）
VN0300 数据手册
ETC1
VN0300L-G 数据手册
Microchip（微芯）
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 640 mA, 30 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.5 V
VN0300L-G-P002 数据手册
Microchip（微芯）
VN0300L-G 数据手册
Supertex（超科）
VN0300L 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
VN0300L 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
VN0300L 数据手册
Supertex（超科）
VN0300LS 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道20-， 30- ， 40 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
VN0300LRLRA 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet