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VN10LE 数据手册 - Vishay Semiconductor(威世)
制造商:
Vishay Semiconductor(威世)
分类:
MOS管
封装:
TO-52
描述:
N沟道增强型MOSFET晶体管 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VN10LE 数据手册
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VN10LE 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-52
漏源极电阻
5.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.50 W
漏源极电压(Vds)
60.0 V
漏源击穿电压
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.00 A
VN10LE 符合标准
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