类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | SOT-23-3 |
漏源极电阻 | 10.0 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 800 mW |
漏源击穿电压 | 200 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 190 mA |
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
N沟道200 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
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