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VNB10N07
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VNB10N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-263-3
描述:？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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VNB10N07 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
输出接口数1 Output
漏源极电阻140 mΩ
功耗50.0 W
漏源击穿电压10.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
输出电流(Max)7 A
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VNB10N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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VNB10N07 数据手册

VNB10N07 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.38 MByte

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