VNB14NV04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	FET驱动器
封装:	TO-263-3
描述:	“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
PDF文件:	VNB14NV04 数据手册 (17 页)封装尺寸在13 页 14 页 15 页原理图在3 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

VNB14NV04 数据手册 (17 页)

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VNB14NV04 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
输出接口数	1 Output
漏源极电阻	35.0 mΩ
极性	N-Channel
功耗	74.0 W
漏源击穿电压	40.0 V
连续漏极电流(Ids)	12.0 A
输出电流(Max)	12 A
输入数	1 Input
耗散功率(Max)	74000 mW

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VNB14NV04 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNB14NV04 符合标准

VNB14NV04 海关信息

VNB14NV04 概述

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