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VNB35N07-E
来自 AiPCBA

VNB35N07-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-263-3
描述:â ???? OMNIFETâ ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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VNB35N07-E 数据手册 (13 页)
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VNB35N07-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率125 W
输出接口数1 Output
输出电流35 A
供电电流0.25 mA
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻28.0 mΩ
极性N-Channel
功耗125 W
漏源击穿电压70.0 V
连续漏极电流(Ids)35.0 A
输入电压(Max)18 V
输出电流(Max)25 A
输出电流(Min)25 A
输入数1 Input
耗散功率(Max)125000 mW
输入电压18 V
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VNB35N07-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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VNB35N07-E 数据手册

VNB35N07-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.23 MByte
VNB35N07-E 其他数据使用手册
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14 页 / 0.22 MByte
VNB35N07-E 产品修订记录
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