| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 30 A |
| 供电电流 | 0.1 mA |
| 漏源极电阻 | 10.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35.0 A |
| 输出电流(Max) | 30 A |
| 输出电流(Min) | 30 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
â ???? OMNIFETâ ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 30 A, 0.013 ohm, 1输出, TO-263-3
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
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