Datasheet 搜索 > FET驱动器 > ST Microelectronics（意法半导体） > VNB49N04 Datasheet 文档
VNB49N04
来自 AiPCBA

VNB49N04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-263-3
描述:？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
PDF文件:VNB49N04 数据手册 (22 页)原理图在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VNB49N04 数据手册 (22 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VNB49N04 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
输出接口数1 Output
漏源极电阻20 mΩ
功耗125 W
阈值电压800 mV
漏源极电压(Vds)42 V
漏源击穿电压42.0 V
连续漏极电流(Ids)49.0 A
钳位电压42 V
输出电流(Max)28 A
查看数据手册 >

VNB49N04 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 125℃ (TJ)
查看数据手册 >

VNB49N04 数据手册

VNB49N04 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 0.37 MByte

VNB49 数据手册

VNB49N04-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VNB49N04 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNB49N0413TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VNB49N04TR-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet