Datasheet 搜索 > FET驱动器 > ST Microelectronics（意法半导体） > VND10N06-1-E Datasheet 文档
VND10N06-1-E
来自 AiPCBA

VND10N06-1-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-251-3
PDF文件:VND10N06-1-E 数据手册 (25 页)原理图在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VND10N06-1-E 数据手册 (25 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VND10N06-1-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-251-3
输出接口数1 Output
输出电流6 A
供电电流0.15 mA
漏源极电阻150 mΩ
极性N-Channel
功耗35 W
漏源击穿电压60.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
输出电流(Max)6 A
输出电流(Min)6 A
耗散功率(Max)35000 mW
查看数据手册 >

VND10N06-1-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
查看数据手册 >

VND10N06-1-E 数据手册

VND10N06-1-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
25 页 / 0.57 MByte

VND10N061 数据手册

VND10N06-1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET
VND10N06-1-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VND10N0613TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet