类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-251-3 |
输出接口数 | 1 Output |
输出电流 | 24 A |
供电电流 | 0.1 mA |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 35.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 74 W |
漏源击穿电压 | 40.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
输出电流(Max) | 12 A |
输出电流(Min) | 12 A |
输入数 | 1 Input |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 74000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
高度 | 7.2 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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