VND14NV04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	STMICROELECTRONICS VND14NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V
PDF文件:	VND14NV04-E 数据手册 (31 页)封装尺寸在24 页 25 页 26 页 27 页 28 页 29 页原理图在5 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

VND14NV04-E 数据手册 (31 页)

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VND14NV04-E 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
输出接口数	1 Output
输出电流	18 A
供电电流	0.1 mA
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.035 Ω
极性	N-Channel
功耗	74 W
阈值电压	2.5 V
漏源极电压(Vds)	55 V
漏源击穿电压	40.0 V
连续漏极电流(Ids)	7.00 A
输出电流(Max)	12 A
输出电流(Min)	12 A
输入数	1 Input
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	74000 mW

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VND14NV04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
高度	2.4 mm
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND14NV04-E 符合标准

VND14NV04-E 海关信息

VND14NV04-E 概述

VND14NV04-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

31 页 / 1.11 MByte

VND14NV04-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.18 MByte

VND14NV04-E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

35 页 / 0.84 MByte

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