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VND1NV04
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VND1NV04 技术参数、封装参数

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VND1NV04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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VND1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND10N06 单通道 低边 自保护 60 V 10 A 0.3 Ohm 功率MOSFET-TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
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