| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流(Max) | 1.7 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VND14NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V
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ST Microelectronics（意法半导体）
电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3
ST Microelectronics（意法半导体）
VND10N06 单通道 低边 自保护 60 V 10 A 0.3 Ohm 功率MOSFET-TO-252-3
ST Microelectronics（意法半导体）
VN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
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