| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 70.0 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 供电电流 | 0.25 mA |
| 漏源极电阻 | 200 mΩ |
| 功耗 | 60000 mW |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 输出电流(Max) | 3.5 A |
| 输出电流(Min) | 5 A |
| 耗散功率(Max) | 60000 mW |
| 电源电压(Max) | 18 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VND5025AK-E 双路驱动器芯片, 高压侧, 4.5V-36V电源, 41A输出, 50µs延迟, POWERSSO-24
ST Microelectronics（意法半导体）
IC，高侧电源开关，STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作，它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路，用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
IC，高侧电源开关，STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作，它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路，用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
VND5012AK-E 系列 36 V 6 mA 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-24
ST Microelectronics（意法半导体）
VND5N07 单通道 低边 自保护 70 V 5 A 0.2 Ohm 功率MOSFET TO-252-3
ST Microelectronics（意法半导体）
VND5050J-E 系列 36 V 50 mΩ 双通道 高压侧 驱动器 - PowerSSO-12
ST Microelectronics（意法半导体）
功率电子开关 VND5E025AKTR-E SOP-24-EP-300mil
ST Microelectronics（意法半导体）
VND5025AK-E系列 36 V 25 mOhm 双通道 高边驱动器 - PowerSSO-24
ST Microelectronics（意法半导体）
VND5050AJ 系列 双 36 V 12 A 表面贴装 高压侧 驱动器 - PowerSSO-12
ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
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