VND5N07TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	FET驱动器
封装:	TO-252-3
描述:	VND5N07 单通道低边自保护 70 V 5 A 0.2 Ohm 功率MOSFET TO-252-3
PDF文件:	VND5N07TR-E 数据手册 (22 页)原理图在5 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

VND5N07TR-E 数据手册 (22 页)

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VND5N07TR-E 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
输出接口数	1 Output
输出电流	7 A
供电电流	0.25 mA
针脚数	3 Position
漏源极电阻	200 mΩ
极性	N-Channel
功耗	60 W
漏源击穿电压	70.0 V
连续漏极电流(Ids)	5.00 A
输入电压(Max)	18 V
输出电流(Max)	3.5 A
输入数	1 Input
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
耗散功率(Max)	60000 mW
输入电压	18 V

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VND5N07TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND5N07TR-E 符合标准

VND5N07TR-E 海关信息

VND5N07TR-E 概述

VND5N07TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.35 MByte

VND5N07TR-E 其他数据使用手册

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23 页 / 0.33 MByte

VND5N07TR-E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

36 页 / 0.37 MByte

VND5N07TR-E 产品修订记录

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5 页 / 0.04 MByte

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