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VND670SP13TR
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VND670SP13TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:PowerSO-10
描述:采用双功率MOSFET栅极驱动器（网桥配置）的双高边开关 Dual high-side switch with dual Power MOSFET gate driver(bridge configuration)
PDF文件:VND670SP13TR 数据手册 (20 页)典型应用电路图在11 页12 页
原理图在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
VND670SP13TR 数据手册 (20 页)
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VND670SP13TR 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数10 Pin
封装PowerSO-10
输出接口数2 Output
供电电流40.0 mA
输出电流(Max)30 A
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VND670SP13TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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VND670SP13TR 数据手册

VND670SP13TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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VND670SP13 数据手册

VND670SP13TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
采用双功率MOSFET栅极驱动器（网桥配置）的双高边开关 Dual high-side switch with dual Power MOSFET gate driver(bridge configuration)
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