类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-251-3 |
输出接口数 | 1 Output |
漏源极电阻 | 140 mΩ |
功耗 | 60000 mW |
漏源击穿电压 | 42.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
输入电压(Max) | 18 V |
输出电流(Max) | 4 A |
输入数 | 1 Input |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7140 系列 28 V 8 A 140 mOhm 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
电源开关-驱动器-1:1-N-通道-21A-PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
功率电子开关 VND7030AJTR PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7040AJ 系列 28 V 40 mOhm 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VND7140AJTR-E 驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 40µs延迟, POWERSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
功率电子开关 VND7020AJTR PowerSSO-16
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