类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
输出接口数 | 1 Output |
输出电流 | 11 A |
供电电流 | 0.25 mA |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.14 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 42 V |
漏源击穿电压 | 42.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
输入电压(Max) | 18 V |
输出电流(Max) | 4 A |
输出电流(Min) | 4 A |
输入数 | 1 Input |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
输入电压 | 18 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET
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晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
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VND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护 功率MOSFET-TO-252-3
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ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET
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