类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-251-3 |
输出接口数 | 1 Output |
漏源极电阻 | 60.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60.0 W |
漏源击穿电压 | 40.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
输出电流(Max) | 6 A |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
37 页 / 0.44 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
35 页 / 0.84 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7140 系列 28 V 8 A 140 mOhm 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
电源开关-驱动器-1:1-N-通道-21A-PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7040AJ 系列 28 V 40 mOhm 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VND7140AJTR-E 驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 40µs延迟, POWERSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件