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VND7NV04-1-E
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VND7NV04-1-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-251-3
描述:OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
PDF文件:VND7NV04-1-E 数据手册 (37 页)原理图在6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
VND7NV04-1-E 数据手册 (37 页)
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VND7NV04-1-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-251-3
输出接口数1 Output
供电电流0.1 mA
漏源极电阻60.0 mΩ
极性N-Channel
功耗60 W
漏源击穿电压42 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
输出电流(Max)6 A
输出电流(Min)6 A
输入数1 Input
耗散功率(Max)60000 mW
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VND7NV04-1-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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VND7NV04-1-E 数据手册

VND7NV04-1-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
37 页 / 0.44 MByte
VND7NV04-1-E 开发手册
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35 页 / 0.84 MByte

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