| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 60 W |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电压 | 40 V |
| 输出电流 | 6 A |
| 供电电流 | 0.1 mA |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
| 输出电流(Max) | 6 A |
| 输出电流(Min) | 6 A |
| 输入数 | 1 Input |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV
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STMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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