Datasheet 搜索 > FET驱动器 > ST Microelectronics（意法半导体） > VND810MSP-E Datasheet 文档
VND810MSP-E
来自 AiPCBA

VND810MSP-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:PowerSO-10
描述:双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
PDF文件:VND810MSP-E 数据手册 (20 页)封装尺寸在17 页
原理图在2 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VND810MSP-E 数据手册 (20 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VND810MSP-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数12 Pin
封装PowerSO-10
输出接口数2 Output
供电电流0.012 mA
功耗52000 mW
输出电流(Max)600 mA
输出电流(Min)0.6 A
耗散功率(Max)52000 mW
查看数据手册 >

VND810MSP-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

VND810MSP-E 数据手册

VND810MSP-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 0.7 MByte
VND810MSP-E 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.09 MByte

VND810 数据手册

VND810 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810PTR-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VND810P-E 系列 36 V 表面贴装 双通道 高压侧 驱动器 - SOIC-16
VND810SP 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810SP-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 Double channel high-side driver
VND810SPTR-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VND810PEP-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810TR-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VND81013TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810PEPTR-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810MSP-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: VND810 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet