| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 电源电压 | 45.0V (max) |
| 封装 | TO-261-4 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 2.60 A |
| 漏源极电阻 | 250 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 7.00 W |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.70 A |
| 输出电流(Max) | 1.7 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VNN1NV04PTR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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