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VNN7NV0413TR
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VNN7NV0413TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-261-4
描述:OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
PDF文件:VNN7NV0413TR 数据手册 (37 页)原理图在6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
VNN7NV0413TR 数据手册 (37 页)
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VNN7NV0413TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)40.0 V
额定电流6.00 A
封装TO-261-4
输出接口数1 Output
供电电流0.1 mA
漏源极电阻60.0 mΩ
极性N-Channel
功耗7 W
漏源击穿电压40.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间470 ns
输出电流(Max)6 A
输出电流(Min)6 A
输入数1 Input
下降时间350 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
耗散功率(Max)7000 mW
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VNN7NV0413TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.50 mm
宽度3.50 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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VNN7NV0413TR 数据手册

VNN7NV0413TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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