| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 125 W |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 35 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.028 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
| 输入电压(Max) | 18 V |
| 输出电流(Max) | 25 A |
| 输出电流(Min) | 35 A |
| 输入数 | 1 Input |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125000 mW |
| 输入电压 | 18 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronics
●OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。
●线性电流限制
●热关闭
●短路保护
●ESD 保护
●一体式夹
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VNP35N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
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