Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > VNP35NV04-E Datasheet 文档
VNP35NV04-E
来自 AiPCBA

VNP35NV04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:STMICROELECTRONICS  VNP35NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 55 V, 13 mohm, 5 V, 2.5 V
PDF文件:VNP35NV04-E 数据手册 (19 页)原理图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VNP35NV04-E 数据手册 (19 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VNP35NV04-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
输出接口数1 Output
输出电流60 A
供电电流0.1 mA
针脚数3 Position
漏源极电阻0.013 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)55 V
漏源击穿电压40.0 V
连续漏极电流(Ids)15.0 A
输出电流(Max)30 A
输入数1 Input
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
查看数据手册 >

VNP35NV04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

VNP35NV04-E 数据手册

VNP35NV04-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 0.29 MByte
VNP35NV04-E 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte

VNP35NV04 数据手册

VNP35NV04 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNP35NV04-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  VNP35NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 55 V, 13 mohm, 5 V, 2.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet