Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > VNP49N04E Datasheet 文档
VNP49N04E
来自 AiPCBA

VNP49N04E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
PDF文件:VNP49N04E 数据手册 (11 页)原理图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VNP49N04E 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VNP49N04E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
漏源极电阻20.0 mΩ
极性N-Channel
功耗125 W
漏源击穿电压42.0 V
连续漏极电流(Ids)49.0 A
查看数据手册 >

VNP49N04E 数据手册

VNP49N04E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.22 MByte

VNP49N04 数据手册

VNP49N04 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNP49N04-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VNP49N04FI 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNP49N04FI-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VNP49N04E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: VNP49N04 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet