Datasheet 搜索 > 电源管理 > ST Microelectronics（意法半导体） > VNP5N07E Datasheet 文档
VNP5N07E
来自 AiPCBA

VNP5N07E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:电源管理
封装:TO-220
PDF文件:VNP5N07E 数据手册 (11 页)原理图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VNP5N07E 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VNP5N07E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
输出接口数1 Output
漏源极电阻200 mΩ
极性N-Channel
功耗31000 mW
漏源击穿电压70.0 V
连续漏极电流(Ids)5.00 A
输出电流(Min)5 A
耗散功率(Max)31000 mW
输入电压18 V
查看数据手册 >

VNP5N07E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
查看数据手册 >

VNP5N07E 数据手册

VNP5N07E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.27 MByte

VNP5N07 数据手册

VNP5N07 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNP5N07-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
7 A 70 V 0.2 Ω 低边 完全自保护 功率MOSFET - TO-220-3
VNP5N07FI 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNP5N07E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VNP5N07FI-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: VNP5N07 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet