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VNS1NV0413TR
来自 AiPCBA

VNS1NV0413TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:SO-8
描述:VNS1N系列 40 V 250 mOhm 1.7 A OMNIFET 自保护 功率MOSFET - SOIC-8
PDF文件:VNS1NV0413TR 数据手册 (33 页)原理图在5 页
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VNS1NV0413TR 数据手册 (33 页)
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VNS1NV0413TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO-8
输出接口数1 Output
输出电流1.7 A
漏源极电阻250 mΩ
极性N-Channel
功耗8.3 W
漏源击穿电压40.0 V
连续漏极电流(Ids)1.70 A
输入数1 Input
耗散功率(Max)8300 mW
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VNS1NV0413TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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VNS1NV0413TR 数据手册

VNS1NV0413TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
33 页 / 0.39 MByte
VNS1NV0413TR 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
26 页 / 0.47 MByte

VNS1NV0413 数据手册

VNS1NV0413TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
VNS1N系列 40 V 250 mOhm 1.7 A OMNIFET 自保护 功率MOSFET - SOIC-8
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