类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 1.70 A |
封装 | SOIC-8 |
输出接口数 | 2 Output |
漏源极电阻 | 250 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 4.00 W |
漏源极电压(Vds) | 40.0 V |
漏源击穿电压 | 40.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
输出电流(Max) | 1.7 A |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VNS1NV04DPTR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics(意法半导体)
VNS1NV04P 系列 3.5 A 250 mOhm 完全自动保护功率 MOSFET - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
VNS1N系列 40 V 250 mOhm 1.7 A OMNIFET 自保护 功率MOSFET - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
â ???? OMNIFET IIA ???? :全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件