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VNV20N07
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VNV20N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:PowerSO-10
描述:？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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VNV20N07 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数12 Pin
封装PowerSO-10
输出接口数1 Output
漏源极电阻50.0 mΩ
功耗83.0 W
漏源击穿电压70.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
输出电流(Max)14 A
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VNV20N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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VNV20N07 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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