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VNW50N04
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VNW50N04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
PDF文件:VNW50N04 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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VNW50N04 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)42.0 V
额定电流50.0 A
封装TO-247-3
输出接口数1 Output
漏源极电阻12.0 mΩ
功耗208 W
漏源击穿电压42.0 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
输出电流(Max)35 A
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VNW50N04 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
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VNW50N04 数据手册

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