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VP2106N3-G
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VP2106N3-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:Microchip（微芯）
分类:MOS管
封装:TO-92-3
描述:Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管，Microchip
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VP2106N3-G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-92-3
额定功率1 W
针脚数3 Position
漏源极电阻9 Ω
功耗0.74 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)60pF @25V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1W (Tc)
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VP2106N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bag
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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VP2106N3-G 数据手册

VP2106N3-G 数据手册
Microchip（微芯）
5 页 / 0.61 MByte
VP2106N3-G 其他数据使用手册
Microchip（微芯）
6 页 / 0.13 MByte
VP2106N3-G 产品修订记录
Microchip（微芯）
3 页 / 0.5 MByte

VP2106N3 数据手册

VP2106N3-G 数据手册
Microchip（微芯）
Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管，Microchip
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